Symetryzator napięcia stałego (LM358)

---

Układ z pojedynczego napięcia stabilizowanego Vin o wartości 3-30V, wytwarza dwa napięcia: dodatnie
i ujemne, każde o wartości 1/2 Vin. Wartości obu tych napięć będą równe, jeśli rezystancje R1 i R2 będą
jednakowe (zaleca się użycie rezystorów o tolerancji 1%). Jeśli rezystancja R1>R2, to dodatnie napięcie
jest większe od ujemnego. Jeśli R2>R1, to ujemne napięcie jest większe od dodatniego. Niezależnie od
wielkości różnicy pomiędzy wartościami bezwzględnymi napięć wyjściowych, ich suma jest zawsze rów-
na wartości napięcia wejściowego.
Sercem symetryzatora jest popularny, podwójny wzmacniacz operacyjny LM358. Zamiast niego można
bezpośrednio użyć układów LA6458, MC1458, MC1558, TL062, TL072 lub TL082. Elementami wyko-
nawczymi są tranzystory, o przeciwnej polaryzacji: T1 - NPN i T2 - PNP. Przy większym obciążeniu prą-
dowym dodatniego napięcia wyjściowego, zwiększa się prąd pobierany z tranzystora T2, a przy więk-
szym obciążeniu ujemnego napięcia, zwiększa się prąd pobierany z tranzystora T1. Większe obciążenie
prądowe jednego z napięć wyjściowych, powoduje spadek jego wartości i jednoczesny wzrost napięcia
mniej obciążonego (dzieje się tak tylko przy większych obciążeniach >0.3A). Dlatego symetryzator naj-
lepiej sprawdzi się w zasilaniu urządzeń, które w przybliżeniu jednakowo obciążają obydwa napięcia
wyjściowe. W zależności od potrzebnej wydajności prądowej, należy użyć odpowiednich tranzystorów
i ewentualnie wyposażyć je w niewielkie radiatory.
Układ zmontowałem na płytce jednostronnej o wymiarach 40x30 mm (2 zworki), która jest przystosowa-
na do użycia tranzystorów w obudowach TO92, TO126 i TO220 z rozkładem wyprowadzeń CBE/EBC/
BCE/ECB. Jako małą ciekawostkę dodam, że płytkę prototypową wykonałem bez trawienia (mini wier-
tarką z małym frezem).

Poniższa tabela zawiera maksymalne parametry przykładowych
tranzystorów, których można użyć w symetryzatorze.

NAZWA Vcb [V] Vce [V] Veb [V] Ic [A] Pc [W] POL. OBUDOWA BC 327 - 45 5 0.8 0.625 PNP TO92 328 25 337 45 NPN 338 25 546 80 65 6 0.1 0.5 547 50 45 548 30 5 549 550 50 45 556 80 65 PNP 557 50 45 558 30 559 560 50 45 BD 135 45 1.5 1.25 NPN TO126 136 PNP 137 60 NPN 138 PNP 139 80 NPN 140 PNP 241 - 45 3 40 NPN TO220 242 PNP 243 45 6 65 NPN 244 PNP

TO92 C B E TO126 E C B TO220 B C E Tranzystory BC3xx występują w trzech wersjach, różniących się wzmocnieniem hFE: 16: 100-250, 25: 160-400, 40: 250-630. Tranzystory BC5xx występują w trzech wersjach, różniących się wzmocnieniem hFE: A: 110-220, B: 200-450, C: 420-800. Tranzystory BD1xx występują w trzech wersjach, różniących się wzmocnieniem hFE: 6: 40-100, 10: 63-160, 16: 100-250. Tranzystory BD24x występują w trzech wersjach, różniących się napięciem Vce: A: 60V, B: 80V, C: 100V.

Vcb - napięcie między kolektorem i bazą (przy otwartym emiterze).
Vce - napięcie między kolektorem i emiterem (przy otwartej bazie).
Veb - napięcie między emiterem i bazą (przy otwartym kolektorze).
    Ic - ciągły prąd kolektora.
  Pc - moc rozpraszana kolektora.

---

SPIS ELEMENTÓW:

Rezystory: R1, R2 - 10k Kondensatory: C1 - 100u/35V C2 - 100n/35V C3, C4 - 100u/16V C5, C6 - 100n/16V

Tranzystory: T1 - dowolny NPN (patrz tekst) T2 - dowolny PNP (patrz tekst) Układy scalone: U1 - LM358 (lub zamiennik)

Złącza: CON1 - 2-pinowe CON2 - 3-pinowe Inne: U1 - podstawka DIP8 zwykła